Időpont: 2023. január 25. szerda, 14.00 órától
Helyszín: MTA Székház, Nagyterem (1051 Budapest, Széchenyi István tér 9.)

Az előadás összefoglalója:

Előadásom a széles tiltottsávú félvezetők növesztésének kihívásaitól - amelyeket sikeresen támogatott a transzmissziós elektronmikroszkópia - az újszerű, kétdimenziós (2D) nitridekig és ezek hetero-szerkezetéig válogat az eredmények közül. Szerencsém volt ezen a területen dolgozni és hozzájárulni az európai kék lézer dióda élettartamának növeléséhez a rácsillesztetlenség következtében kialakuló diszlokációk számát csökkentve, valamint a nagyteljesítményű GaN eszközök működés közben megemelkedett hőmérsékletének csökkentéséhez. A transzmissziós elektronmikroszkópia fejlődésében minőségi ugrás következett be a szférikus aberráció korrektorokkal, ami szerencsésen esett egybe a két-dimenziós (2D) félvezetők színrelépésével. Áttekintem az általunk előállított 2D nitrid félvezetőket fókuszálva a 2D InN-re és új fizikai tulajdonságaira megmutatva azok nanoszerkezetét a gömbi hiba korrigált mikroszkóp segítségével. Kitekintünk a MoS2/GaN heteroátmenetekre is, amelyek jelenleg kutatásunk fókuszában vannak.

A székfoglaló meghívója innen tölthető le.

Felhívjuk szíves figyelmüket, hogy az előadásról kép- és hangfelvétel készül, részvételével egyben hozzájárul azok nyilvános publikálásához.