Elektronmikroszkópia az újszerű félvezetők atomi léptékű szerkezeti tulajdonságainak feltárásában – Pécz Béla levelező tag székfoglaló előadása
Pécz Béla levelező tag 2023. január 25-én megtartotta akadémiai székfoglalóját. Az előadásról szóló, képgalériával és videóval bővített összefoglaló.
Az előadás a széles tiltott sávú félvezetők növesztésének kihívásaitól – amelyeket sikeresen támogatott a transzmissziós elektronmikroszkópia – az újszerű, kétdimenziós (2D) nitridekig és ezek heteroszerkezetéig válogat az eredmények közül.
Pécz Béla (Az akadémiai székfoglaló előadásról készített képgaléria a fotóra kattintva nézhető meg.) Fotó: mta.hu / Szigeti Tamás
Pécz Béla e területen végzett kutatómunkája révén hozzájárult – a rácsillesztetlenség következtében kialakuló diszlokációk számát csökkentve – az európai kéklézer-dióda élettartamának növeléséhez, valamint a nagy teljesítményű GaN-eszközök működés közben megemelkedett hőmérsékletének csökkentéséhez. A transzmissziós elektronmikroszkópia fejlődésében minőségi ugrás következett be a szférikusaberráció-korrektorokkal, ami szerencsésen esett egybe a kétdimenziós (2D) félvezetők színre lépésével.
Előadásában áttekintette az általuk előállított 2D nitrid-félvezetőket a 2D InN-re és új fizikai tulajdonságaira fókuszálva, megmutatva nanoszerkezetüket a gömbihiba-korrigált mikroszkóp segítségével. Kitekintett a MoS2/GaN heteroátmenetekre is, amelyek jelenlegi kutatásaik fókuszában állnak.
Pécz Béla 1961-ben született Celldömölkön. 2016 óta az Energiatudományi Kutatóközpont Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézetének igazgatója. Szűkebb szakterülete a transzmissziós elektronmikroszkópia és a félvezetők tudománya. Kutatásai felölelték a GaN-t, a gyémánt vékonyrétegeket és a grafént, illetve ezek kombinációit. Legújabb eredményeit a grafén és SiC közti térben szintetizált kétdimenziós félvezető rétegekről és tulajdonságaikról rangos folyóiratokban (pl. Advanced Materials) publikálta.
