MTA Székház, Nagyterem 1051 Budapest, Széchenyi István tér 9.
Részletek
Előadásom a széles tiltott sávú félvezetők növesztésének kihívásaitól – amelyeket sikeresen támogatott a transzmissziós elektronmikroszkópia – az újszerű, kétdimenziós (2D) nitridekig és ezek heteroszerkezetéig válogat az eredmények közül. Szerencsém volt ezen a területen dolgozni és hozzájárulni – a rácsillesztetlenség következtében kialakuló diszlokációk számát csökkentve – az európai kéklézer-dióda élettartamának növeléséhez, valamint a nagy teljesítményű GaN-eszközök működés közben megemelkedett hőmérsékletének csökkentéséhez. A transzmissziós elektronmikroszkópia fejlődésében minőségi ugrás következett be a szférikusaberráció-korrektorokkal, ami szerencsésen esett egybe a kétdimenziós (2D) félvezetők színre lépésével. Áttekintem az általunk előállított 2D nitrid-félvezetőket a 2D InN-re és új fizikai tulajdonságaira fókuszálva, megmutatva nanoszerkezetüket a gömbihiba-korrigált mikroszkóp segítségével. Kitekintünk a MoS2/GaN heteroátmenetekre is, amelyek jelenlegi kutatásunk fókuszában állnak.